تهیه ی لایه های نازک نانوساختار سلنید قلع (snse) به روش حمام شیمیایی و بررسی ترابرد الکترونی آن ها در محدوده ی دمایی 120-400 کلوین
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک
- نویسنده بهمن شکیبا
- استاد راهنما حسن بیدادی مجتبی پرهیزکار
- سال انتشار 1391
چکیده
سلنید قلع (snse) یکی از نیم رساناهای iv-vi است. این نیم رساناها مدت بیش از یک دهه است که بخاطر خواص بی نظیرشان در اپتو الکترونیک مانند دیود های نور گسیل، دیود های لیزری، کلید زنهای حافظه ای و تولیدات مادون قرمز توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. برای تهیه فیلم های سلنید قلع با کیفیت بالا از روش های مختلفی مانند نهشت بخار شیمیایی، رونهشتی باریکه مولکولی، الکتروشیمیایی، تبخیر و کندوپاش استفاده می شود. روش حمام شیمیایی یکی از این روشهاست که می تواند فیلم هایی با کیفیت بالا برای کاربرد در قطعات الکترونیکی تولید نماید. در این کار تجربی، وابستگی دمایی ضریب ثابت هال ، مقاومت ویژه ، رسانندگی الکتریکی و تحرک پذیری در لایه های نازک سلنید قلع که به روش حمام شیمیایی بر روی زیر لایه های شیشه ای و مسی تهیه شده اند، مورد بررسی قرار گرفت. نتایج تجربی نشان می دهد که با افزایش دما از 100 درجه کلوین تا 400 درجه کلوین، مقاومت ویژه لایه ها، کاهش پیدا می کند. در محدوده دمایی 100 تا 120 درجه کلوین تغییرات مقاومت ویژه با افزایش دما تقریبا یکنواخت ولی از 120 درجه کلوین تا 220 درجه کلوین به خاطر افزایش بیشتر تعداد حامل های بار، با افزایش دما، مقاومت ویژه سریعاً کاهش پیدا می-کند. اما بین 220 تا 400 کلوین به علت محدود بودن تعداد اتم های ناخالصی تقریبا ثابت است. به خاطر دارا بودن طبیعت نیم رسانایی، رسانندگی لایه های سلنید قلع با افزایش دما افزایش پیدا می کند و این افزایش در محدوده دمایی 120 تا 220 درجه کلوین سریع می باشد. برای اندازه گیری تحرک پذیری حامل ها نمونه های مختلفی انتخاب شد، ولی به دلیل این که در روش حمام شیمیایی امکان تهیه ی لایه با ضخامت بالا وجود ندارد و به همین دلیل مقاومت نمونه ها بالاست، اندازه گیری ضریب هال تغییرات ناچیزی را نشان داد.
منابع مشابه
تهیه لایه های نازک سلنید قلع(snse) به روش حمام شیمیایی و بررسی خواص ساختاری و نوری آنها در دمای اتاق
چکیده: سلنید قلع (snse)نیمرسانایی از نوع iv-vi بیش از یک دهه است که بخاطر خواص بی- نظیرش در دیودهای نورگسیل، دیودهای لیزری، در کلیدزنهای حافظه ای و تولیدات مادون قرمز توجه زیادی را به خود جلب کرده است. برای تهیه فیلم های snse با کیفیت بالا از روش های مختلفی مانند نهشت بخار شیمیایی، رونهشتی باریکه مولکولی، الکتروشیمیایی، تبخیردر خلاء، کندوپاش و حمام شیمیایی استفاده می شود. از بین این روش ها، س...
15 صفحه اولترابرد الکترونی و رسانندگی الکتریکی حاملین بار درتک بلورهای GaAs از نوع P در محدوده‌ی دمایی(400-100) درجه‌ی کلوین
گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند مدارهای مجتمع، دیودهای مادون قرمز، دیودهای لیزری و سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه‌ی خواص آن حایز اهمیت است. در این...
متن کاملبررسی ترابرد الکترونی لایه های نازک اکسید روی تهیه شده به روش سل - ژل با غلظت 9/0 مول در لیتر و باز پخت شده در دمای 500 درجه سانتیگراد در محدوده ی دمایی (400-100) درجه کلوین
اکسید روی یک نیمه رسانای نوع n با گاف انرژی پهن می باشد، به همین علت به عنوان یک ماده مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مانند رساناهای شفاف ، حسگرهای گازی، واریستورها، دستگاههای موج اکوستیکی سطحی (saw)، همچنین در ساخت سلولهای خورشیدی نیز به کار می رود. روشهایی متعددی برای تهیه فیلم های نازک اکسید روی با توجه به محدوده وسیع کاربردشان وجود دارد. در این کار تجربی فیلم های نازک اکسی...
15 صفحه اولتاثیر دمای حمام شیمیائی بر تغییرات نانو ساختار لایه نازک CdS تهیه شده به روش نشست شیمیایی در حمام
متن کامل
مطالعه ترابرد الکترونی در نمونه هایی از بلورهای insb نوع n در محدوده دمایی (400- 90) درجه کلوین
نیمرسانای از نیمرساناهای گروه دارای کوچکترین گاف انرژی نسبت به نیمرساناهای دیگر می باشد. از این ترکیب می توان در سخت آشکار سازهای ، مادون قرمز در محدوده طول موجی 10 - 5 میکرون وهمچنین به عنوان گوس متر برای اندازه گیری شدت میدان مغناطیسی استفاده نمود. با توجه به کوچکی گاف انرژی یک برهمکنش قوی بین حالتهای باند هدایت و حالتهای باند ظرفیت ایجاد می شود که نتیجه آن غیر سهمی بودن باند های انرژی است. پ...
15 صفحه اولمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023